Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70V-A IS43DR16128C-25DBLI, DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
Цена 0 0 0 2 550
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения DRAM
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 209
тип продукта LDO Voltage Regulators DRAM
торговая марка Diodes Incorporated ISSI
упаковка Ammo Pack Reel, Cut Tape
упаковка / блок TO-92-3 BGA-84
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 84-TFBGA
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8542.32.0036
серия IS43DR16128C
reach status REACH Unaffected
supplier device package 84-TWBGA (8x12.5)
voltage - supply 1.7V ~ 1.9V
technology SDRAM - DDR2
memory size 2Gb (128M x 16)
memory type Volatile
memory format DRAM
access time 400ns
clock frequency 400MHz
memory interface Parallel
write cycle time - word, page 15ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль