Сравнение

AS7805AT-E1 IS42S32800J-7BLI, DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
Цена 0 0 0 1 830
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 °C
output type Fixed Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: Through Hole
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube
output voltage 5V 5 V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5µA
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
package type TO-92
width 3.8mm
pin count 3
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
regulator type Low Dropout Voltage
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 90-TFBGA
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта DRAM
максимальная рабочая температура + 85 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория Memory Data Storage
размер фабричной упаковки 240
тип продукта DRAM
торговая марка ISSI
упаковка / блок BGA-90
чувствительный к влажности Yes
eccn EAR99
htsus 8542.32.0024
серия IS42S32800J
reach status REACH Unaffected
supplier device package 90-TFBGA (8x13)
линейка продукции IS42S
количество выводов 90вывод(-ов)
напряжение питания - макс. 170 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 3 V
voltage - supply 3V ~ 3.6V
technology SDRAM
организация 8 M x 32
ширина шины данных 32 bit
размер памяти 256 Mbit
memory size 256Mb (8M x 32)
максимальная тактовая частота 143 MHz
memory type Volatile
тип интерфейса ис LVTTL
memory format DRAM
время доступа 6.5 ns
access time 5.4ns
clock frequency 143MHz
memory interface Parallel
тактовая частота 143МГц
стиль корпуса микросхемы памяти TFBGA
конфигурация памяти dram 8М x 32бит
номинальное напряжение питания 3.3В
плотность dram 256Мбит
тип dram SDR
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль