Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	IS42S32800J-7BLI, DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
Цена	0 ₽	0 ₽	1 830 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	DRAM
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 85 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	40 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	Memory Data Storage
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	240
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	DRAM
торговая марка	—	Diodes Incorporated	ISSI
упаковка	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	BGA-90
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	—	—	Tray
package / case	—	—	90-TFBGA
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
чувствительный к влажности	—	—	Yes
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8542.32.0024
серия	—	—	IS42S32800J
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	90-TFBGA (8x13)
линейка продукции	—	—	IS42S
количество выводов	—	—	90вывод(-ов)
напряжение питания - макс.	—	—	170 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	—	3 V
voltage - supply	—	—	3V ~ 3.6V
technology	—	—	SDRAM
организация	—	—	8 M x 32
ширина шины данных	—	—	32 bit
размер памяти	—	—	256 Mbit
memory size	—	—	256Mb (8M x 32)
максимальная тактовая частота	—	—	143 MHz
memory type	—	—	Volatile
тип интерфейса ис	—	—	LVTTL
memory format	—	—	DRAM
время доступа	—	—	6.5 ns
access time	—	—	5.4ns
clock frequency	—	—	143MHz
memory interface	—	—	Parallel
тактовая частота	—	—	143МГц
стиль корпуса микросхемы памяти	—	—	TFBGA
конфигурация памяти dram	—	—	8М x 32бит
номинальное напряжение питания	—	—	3.3В
плотность dram	—	—	256Мбит
тип dram	—	—	SDR