Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 IS42S32800J-7BLI, DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
Цена 0 0 0 1 830
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators IS42S
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов) 90вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения DRAM
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 240
тип продукта LDO Voltage Regulators DRAM
торговая марка Diodes Incorporated ISSI
упаковка / блок SOT-23-3 BGA-90
серия AP7384 IS42S32800J
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 90-TFBGA
rohs status ROHS3 Compliant
чувствительный к влажности Yes
eccn EAR99
htsus 8542.32.0024
reach status REACH Unaffected
supplier device package 90-TFBGA (8x13)
напряжение питания - макс. 170 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 3 V
voltage - supply 3V ~ 3.6V
technology SDRAM
организация 8 M x 32
ширина шины данных 32 bit
размер памяти 256 Mbit
memory size 256Mb (8M x 32)
максимальная тактовая частота 143 MHz
memory type Volatile
тип интерфейса ис LVTTL
memory format DRAM
время доступа 6.5 ns
access time 5.4ns
clock frequency 143MHz
memory interface Parallel
тактовая частота 143МГц
стиль корпуса микросхемы памяти TFBGA
конфигурация памяти dram 8М x 32бит
номинальное напряжение питания 3.3В
плотность dram 256Мбит
тип dram SDR
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль