Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	IS42S32800J-7BL
Цена	0 ₽	0 ₽	1 240 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	DRAM
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 70 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	0 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	Memory Data Storage
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	240
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	DRAM
торговая марка	Diodes Incorporated	—	ISSI
упаковка	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	TO-92-3	—	BGA-90
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	3 (168 Hours)
mounting type	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	0В°C ~ 70В°C (TA)
package	—	—	Tray
package / case	—	—	90-TFBGA
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
type	—	—	SDRAM
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8542.32.0024
серия	—	—	IS42S32800J
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	90-TFBGA (8x13)
minimum operating temperature	—	—	0 C
factory pack quantity	—	—	240
manufacturer	—	—	ISSI
maximum operating temperature	—	—	+ 70 C
mounting style	—	—	SMD/SMT
product category	—	—	DRAM
product type	—	—	DRAM
series	—	—	IS42S32800J
subcategory	—	—	Memory & Data Storage
unit weight	—	—	0.007161 oz
напряжение питания - макс.	—	—	170 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	—	3 V
voltage - supply	—	—	3V ~ 3.6V
supply voltage - max	—	—	3.6 V
supply voltage - min	—	—	3 V
supply current - max	—	—	170 mA
technology	—	—	SDRAM
организация	—	—	8 M x 32
moisture sensitive	—	—	Yes
ширина шины данных	—	—	32 bit
размер памяти	—	—	256 Mbit
memory size	—	—	256Mb (8M x 32)
максимальная тактовая частота	—	—	143 MHz
memory type	—	—	Volatile
memory format	—	—	DRAM
время доступа	—	—	6.5 ns
organization	—	—	8 M x 32
access time	—	—	5.4ns
maximum clock frequency	—	—	143 MHz
clock frequency	—	—	143MHz
memory interface	—	—	Parallel
data bus width	—	—	32 bit