Сравнение

AP7384-70SA-7 IS34ML04G084-TLI, Флеш память, SLC NAND, 4 Гбит, 512М x 8бит, Параллельный, TSOP-I, 48 вывод(-ов)
Цена 0 0 2 270
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения Флеш-память NAND
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Voltage Regulators NAND Flash
размер фабричной упаковки 3000 96
тип продукта LDO Voltage Regulators NAND Flash
торговая марка Diodes Incorporated ISSI
упаковка / блок SOT-23-3 TSOP-48
серия AP7384 IS34ML04G084
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 1.36
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 48-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs status ROHS3 Compliant
упаковка Bulk
чувствительный к влажности Yes
eccn 3A991B1A
htsus 8542.32.0071
supplier device package 48-TSOP
напряжение питания - макс. 30 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 2.7 V
тип интерфейса Parallel
voltage - supply 2.7V ~ 3.6V
technology FLASH - NAND (SLC)
организация 512 M x 8
быстродействие 25 ns
ширина шины данных 8 bit
размер памяти 4 Gbit
тип памяти NAND
memory size 4Gb (512M x 8)
memory type Non-Volatile
memory format FLASH
access time 25ns
memory interface Parallel
write cycle time - word, page 25ns
активный ток считывания — макс. 30 mA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль