Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	IS25WP080D-JKLE, IC: память FLASH; 8Mб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65?1,95В; WSON8
Цена	0 ₽	0 ₽	290 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	Флеш-память NOR
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	Memory Data Storage
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	570
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	NOR Flash
торговая марка	—	Diodes Incorporated	ISSI
упаковка	—	Ammo Pack	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	—	TO-92-3	WSON-8
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
вес, г	—	—	1
moisture sensitivity level (msl)	—	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 105В°C (TA)
package	—	—	Tray
package / case	—	—	8-WDFN Exposed Pad
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8542.32.0071
серия	—	—	IS25WP080D
supplier device package	—	—	8-WSON (6x5)
voltage - supply	—	—	1.65V ~ 1.95V
technology	—	—	FLASH - NOR
memory size	—	—	8Mb (1M x 8)
memory type	—	—	Non-Volatile
memory format	—	—	FLASH
clock frequency	—	—	133MHz
memory interface	—	—	SPI - Quad I/O, QPI, DTR
write cycle time - word, page	—	—	800Вµs