Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IS61WV25616EDBLL-10TLI
Цена 0 0 980
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения Стат. ОЗУ
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 135
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators SRAM
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated ISSI
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TSOP-44
серия AP7384 IS61WV25616EDBLL
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tray
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
mounting type Surface Mount
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status ROHS3 Compliant
type Asynchronous
eccn 3A991B2A
htsus 8542.32.0041
reach status REACH Unaffected
supplier device package 44-TSOP II
minimum operating temperature - 40 C
factory pack quantity 135
manufacturer ISSI
maximum operating temperature + 85 C
mounting style SMD/SMT
packaging Tray
product category SRAM
product type SRAM
series IS61WV25616EDBLL
subcategory Memory & Data Storage
unit weight 0.016579 oz
напряжение питания - макс. 35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 2.4 V
тип интерфейса Parallel
voltage - supply 2.4V ~ 3.6V
interface type Parallel
supply voltage - max 3.6 V
supply voltage - min 2.4 V
supply current - max 35 mA
technology SRAM - Asynchronous
организация 256 k x 16
moisture sensitive Yes
размер памяти 4 Mbit
тип памяти SDR
memory size 4Mb (256K x 16)
memory type Volatile
memory format SRAM
время доступа 10 ns
organization 256 k x 16
access time 10ns
memory interface Parallel
write cycle time - word, page 10ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль