Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	IS61WV25616EDBLL-10TLI
Цена	0 ₽	980 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	Стат. ОЗУ
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	Memory Data Storage
продукт	LDO Voltage Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	135
тип продукта	LDO Voltage Regulators	SRAM
торговая марка	Diodes Incorporated	ISSI
упаковка / блок	SOT-23-3	TSOP-44
серия	AP7384	IS61WV25616EDBLL
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	3 (168 Hours)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	—	Tray
package / case	—	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	—	ROHS3 Compliant
type	—	Asynchronous
упаковка	—	Tray
eccn	—	3A991B2A
htsus	—	8542.32.0041
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	44-TSOP II
minimum operating temperature	—	- 40 C
factory pack quantity	—	135
manufacturer	—	ISSI
maximum operating temperature	—	+ 85 C
mounting style	—	SMD/SMT
packaging	—	Tray
product category	—	SRAM
product type	—	SRAM
series	—	IS61WV25616EDBLL
subcategory	—	Memory & Data Storage
unit weight	—	0.016579 oz
напряжение питания - макс.	—	35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	2.4 V
тип интерфейса	—	Parallel
voltage - supply	—	2.4V ~ 3.6V
interface type	—	Parallel
supply voltage - max	—	3.6 V
supply voltage - min	—	2.4 V
supply current - max	—	35 mA
technology	—	SRAM - Asynchronous
организация	—	256 k x 16
moisture sensitive	—	Yes
размер памяти	—	4 Mbit
тип памяти	—	SDR
memory size	—	4Mb (256K x 16)
memory type	—	Volatile
memory format	—	SRAM
время доступа	—	10 ns
organization	—	256 k x 16
access time	—	10ns
memory interface	—	Parallel
write cycle time - word, page	—	10ns