Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	IS61WV25616EDBLL-10TLI
Цена	0 ₽	980 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Surface Mount
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	- 40 C
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	+ 85 C
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
moisture sensitivity level (msl)	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	—	Tray
package / case	—	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	—	ROHS3 Compliant
type	—	Asynchronous
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	—	+ 85 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	—	135
тип продукта	—	SRAM
торговая марка	—	ISSI
упаковка	—	Tray
упаковка / блок	—	TSOP-44
eccn	—	3A991B2A
htsus	—	8542.32.0041
серия	—	IS61WV25616EDBLL
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	44-TSOP II
factory pack quantity	—	135
manufacturer	—	ISSI
mounting style	—	SMD/SMT
packaging	—	Tray
product category	—	SRAM
product type	—	SRAM
series	—	IS61WV25616EDBLL
subcategory	—	Memory & Data Storage
unit weight	—	0.016579 oz
напряжение питания - макс.	—	35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	2.4 V
тип интерфейса	—	Parallel
voltage - supply	—	2.4V ~ 3.6V
interface type	—	Parallel
supply voltage - max	—	3.6 V
supply voltage - min	—	2.4 V
supply current - max	—	35 mA
technology	—	SRAM - Asynchronous
организация	—	256 k x 16
moisture sensitive	—	Yes
размер памяти	—	4 Mbit
тип памяти	—	SDR
memory size	—	4Mb (256K x 16)
memory type	—	Volatile
memory format	—	SRAM
время доступа	—	10 ns
organization	—	256 k x 16
access time	—	10ns
memory interface	—	Parallel
write cycle time - word, page	—	10ns