Сравнение

AP7384-33Y-13 IS61WV25616EDBLL-10TLI
Цена 0 0 980
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Surface Mount
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C - 40 C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C + 85 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status ROHS3 Compliant
type Asynchronous
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Стат. ОЗУ
подкатегория Memory Data Storage
размер фабричной упаковки 135
тип продукта SRAM
торговая марка ISSI
упаковка Tray
упаковка / блок TSOP-44
eccn 3A991B2A
htsus 8542.32.0041
серия IS61WV25616EDBLL
reach status REACH Unaffected
supplier device package 44-TSOP II
factory pack quantity 135
manufacturer ISSI
mounting style SMD/SMT
packaging Tray
product category SRAM
product type SRAM
series IS61WV25616EDBLL
subcategory Memory & Data Storage
unit weight 0.016579 oz
напряжение питания - макс. 35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 2.4 V
тип интерфейса Parallel
voltage - supply 2.4V ~ 3.6V
interface type Parallel
supply voltage - max 3.6 V
supply voltage - min 2.4 V
supply current - max 35 mA
technology SRAM - Asynchronous
организация 256 k x 16
moisture sensitive Yes
размер памяти 4 Mbit
тип памяти SDR
memory size 4Mb (256K x 16)
memory type Volatile
memory format SRAM
время доступа 10 ns
organization 256 k x 16
access time 10ns
memory interface Parallel
write cycle time - word, page 10ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль