Сравнение

AP7384-70V-A IS42S16400J-5TL, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
Цена 0 0 650
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 54
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения DRAM
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 70 C
минимальная рабочая температура 40 C 0 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 108
тип продукта LDO Voltage Regulators DRAM
торговая марка Diodes Incorporated ISSI
упаковка Ammo Pack Tray
упаковка / блок TO-92-3 TSOP-54
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
серия IS42S16400J
рабочее напряжение питания 3.3 V
напряжение питания - макс. 110 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 3 V
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Gull-wing
maximum operating temperature (°c) 70
mounting surface mount
part status active
pcb changed 54
ppap No
standard package name SOP
supplier package TSOP-II
eccn (us) ear99
minimum operating temperature (°c)
supplier temperature grade Commercial
maximum operating supply voltage (v) 3.6
process technology CMOS
interface type LVTTL
minimum operating supply voltage (v) 3
typical operating supply voltage (v) 3.3
организация 4 M x 16
ширина шины данных 16 bit
размер памяти 64 Mbit
максимальная тактовая частота 200 MHz
время доступа 5.4 ns
chip density (bit) 64M
operating current (ma) 110
organization 4Mx16
number of bits/word (bit) 16
maximum clock rate (mhz) 200
dram type SDRAM
maximum access time (ns) 4.8|5.4
number of i/o lines (bit) 16
number of internal banks 4
number of words per bank 1M
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль