Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	IS62WV5128EBLL-45T2LI
Цена	0 ₽	0 ₽	1 220 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	Стат. ОЗУ
количество выходов	—	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 85 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	40 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	Memory Data Storage
продукт	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	2000	117
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	SRAM
торговая марка	—	Diodes Incorporated	ISSI
упаковка	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	TSOP-32
выходной ток	—	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	—
полярность	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	—	—	Tray
package / case	—	—	32-SOIC (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	3A991B2A
htsus	—	—	8542.32.0041
серия	—	—	IS62WV5128EBLL
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	32-TSOP II
коммерческое обозначение	—	—	PowerSaver
напряжение питания - макс.	—	—	22 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	—	2.2 V
тип интерфейса	—	—	Parallel
voltage - supply	—	—	2.2V ~ 3.6V
technology	—	—	SRAM - Asynchronous
организация	—	—	512 k x 8
размер памяти	—	—	4 Mbit
тип памяти	—	—	SDR
memory size	—	—	4Mb (512K x 8)
memory type	—	—	Volatile
memory format	—	—	SRAM
время доступа	—	—	45 ns
access time	—	—	45ns
memory interface	—	—	Parallel
write cycle time - word, page	—	—	45ns