Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	GS840Z18CGT-250I
Цена	0 ₽	0 ₽	2 770 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
number of outputs	1	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	+ 85 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—	40 C
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—
width	2.6mm	3.8mm	—
pin count	3+Tab	3	—
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—
polarity	Positive	Positive	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—
maximum output current	50mA	50mA	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 100В°C (TJ)
package	—	—	Tray
package / case	—	—	100-LQFP
вид монтажа	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	Стат. ОЗУ
подкатегория	—	—	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	—	—	72
тип продукта	—	—	SRAM
торговая марка	—	—	GSI Technology
упаковка	—	—	Tray
упаковка / блок	—	—	TQFP-100
htsus	—	—	8542.32.0041
серия	—	—	GS840Z18CGT
supplier device package	—	—	100-TQFP (20x14)
коммерческое обозначение	—	—	NBT SRAM
напряжение питания - макс.	—	—	165 mA, 200 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	—	2.3 V
тип интерфейса	—	—	Parallel
voltage - supply	—	—	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
technology	—	—	SRAM - Synchronous, ZBT
организация	—	—	256 k x 18
размер памяти	—	—	4 Mbit
тип памяти	—	—	SDR
memory size	—	—	4Mb (256K x 18)
максимальная тактовая частота	—	—	250 MHz
memory type	—	—	Volatile
memory format	—	—	SRAM
время доступа	—	—	5.5 ns
clock frequency	—	—	250MHz
memory interface	—	—	Parallel