Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 UJ3N120035K3S
Цена 0 0 0 6 050
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) Not Applicable
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-247-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-247-3
вид монтажа: Through Hole
категория продукта: JFET
максимальная рабочая температура: +175 C
минимальная рабочая температура: -55 C
подкатегория: Transistors
производитель: UnitedSiC
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки: 30
серия: UJ3N
тип продукта: JFETs
торговая марка: UnitedSiC
упаковка: Tube
упаковка / блок: TO-247-3
коммерческое обозначение: Sic JFET
pd - рассеивание мощности: 429 W
технология: SiC
конфигурация: Single
drain to source voltage (vdss) 1200V
fet type N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds 2145pF @ 100V
id - непрерывный ток утечки: 63 A
rds вкл - сопротивление сток-исток: 35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток: 1200 V
полярность транзистора: N-Channel
vds - напряжение пробоя затвор-исток: 20 V
power - max 429W
resistance - rds(on) 45 mOhms
voltage - breakdown (v(br)gss) 1200V
current drain (id) - max 63A
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль