Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805ADTR-G1	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	STU4N52K3, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 525В, 2А, 45Вт, IPAK
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	91 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500	—	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—	—
load regulation:	20 mV	—	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—	—
mounting style:	SMD/SMT	—	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—	—
series:	AS7805	—	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—	—
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
moisture sensitive:	Yes	—	—	—
output current:	1 A	—	—	—
output voltage:	5 V	—	—	—
output type:	Fixed	—	—	—
quiescent current:	6 mA	—	—	—
polarity:	Positive	—	—	—
line regulation:	25 mV	—	—	—
package / case:	TO-252-2	—	—	—
line regulation	—	0.05%/V	—	—
load regulation	—	0.5 V	—	—
mounting type	—	Through Hole	—	Through Hole
number of outputs	—	1	—	—
package type	—	TO-92	—	—
minimum operating temperature	—	-40 °C	—	—
width	—	3.8mm	—	—
pin count	—	3	—	3
maximum operating temperature	—	+125 °C	—	—
output type	—	Fixed	—	—
output voltage	—	5 V	—	—
minimum input voltage	—	3.3 V	—	—
polarity	—	Positive	—	—
maximum input voltage	—	40 V	—	—
maximum output current	—	50mA	—	—
quiescent current	—	2.5µA	—	—
regulator type	—	Low Dropout Voltage	—	—
вес, г	—	—	—	0.38
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	—	150В°C (TJ)
package	—	—	—	Tube
package / case	—	—	—	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs status	—	—	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	—	—	Through Hole
категория продукта	—	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	—	55 C
подкатегория	—	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	—	3000
тип продукта	—	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	—	STMicroelectronics
упаковка	—	—	—	Tube
упаковка / блок	—	—	—	TO-251-3
eccn	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	8541.29.0095
серия	—	—	—	STU4N52K3
reach status	—	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	—	I-PAK
время нарастания	—	—	—	7 ns
время спада	—	—	—	14 ns
коммерческое обозначение	—	—	—	MDmesh
packaging	—	—	—	Tube
product category	—	—	—	Power MOSFET
series	—	—	—	SuperMESH3в„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	—	—	45 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
automotive	—	—	—	No
eu rohs	—	—	—	Compliant with Exemption
lead shape	—	—	—	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	—	—	—	150
mounting	—	—	—	Through Hole
part status	—	—	—	active
pcb changed	—	—	—	3
standard package name	—	—	—	TO-251
supplier package	—	—	—	IPAK
base product number	—	—	—	STU4N52 ->
eccn (us)	—	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	—	45000
minimum operating temperature (°c)	—	—	—	-55
configuration	—	—	—	Single
package height	—	—	—	6.2(Max)
package length	—	—	—	6.6(Max)
package width	—	—	—	2.4(Max)
process technology	—	—	—	SuperMESH 3
технология	—	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	—	1
конфигурация	—	—	—	Single
channel type	—	—	—	N
technology	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	—	—	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tab	—	—	—	Tab
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	2.5 A
qg - заряд затвора	—	—	—	11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	2.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	525 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	3 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	21 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	8 ns
channel mode	—	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	—	2.5
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	—	2600@10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	—	525
maximum gate source leakage current (na)	—	—	—	10000
maximum gate source voltage (v)	—	—	—	±30
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	—	4.5
maximum idss (ua)	—	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	—	14
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	—	11
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	—	11@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	—	334@100V
typical rise time (ns)	—	—	—	7
typical turn-off delay time (ns)	—	—	—	21
typical turn-on delay time (ns)	—	—	—	8
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	2.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	525V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	10V
fet type	—	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	11nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	334pF @ 100V
power dissipation (max)	—	—	—	45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs (max)	—	—	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	4.5V @ 50ВµA
military	—	—	—	No