Сравнение

AP7384-70V-A STB14NK60ZT4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8,5А, 160Вт, D2PAK
Цена 0 380
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated STMicroelectronics
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3 TO-263-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 2
серия STB14NK60ZT4
длина 10.4 mm
время нарастания 18 ns
время спада 13 ns
коммерческое обозначение SuperMESH
pd - рассеивание мощности 160 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 13.5 A
qg - заряд затвора 75 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 500 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 11 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 62 ns
типичное время задержки при включении 26 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль