Сравнение

	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -7,2А, Idm: -30А, 2,7Вт, SO8	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	130 ₽	240 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
артикул	NCE3050-TO220	—	—
вес, г	2	0.16	1.95
Вес и габариты	—	—	—
rds on - drain-source resistance	—	32mО© @ 7A,10V	—
transistor polarity	—	P Channel	—
vds - drain-source breakdown voltage	—	30V	—
vgs - gate-source voltage	—	2.5V @ 250uA	—
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	9A(Tc)	—
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	4.2W(Tc)	—
способ монтажа	—	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	—	-55…+125
количество фаз	—	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	—	1000
при iпр.,а	—	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	—	50