Сравнение

	SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -7,2А, Idm: -30А, 2,7Вт, SO8
Цена	240 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.16
Вес и габариты	—
rds on - drain-source resistance	32mО© @ 7A,10V
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	2.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	9A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	4.2W(Tc)