Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 PHB66NQ03LT.118, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK
Цена 0 0 260
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Surface Mount
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 800
тип продукта MOSFET
торговая марка Nexperia
упаковка / блок TO-263-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package D2PAK
длина 10.3 mm
время нарастания 90 ns
время спада 25 ns
series TrenchMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности 93 W
другие названия товара № /T3 PHB66NQ03LT
количество каналов 1 Channel
base product number PHB66NQ03 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 66 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 10.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 25 ns
типичное время задержки при включении 15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 66A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 25V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 12nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 860pF @ 25V
power dissipation (max) 93W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 25A, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 1mA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль