Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	PHB66NQ03LT.118, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK
Цена	0 ₽	0 ₽	260 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вес, г	—	—	1
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	800
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	Nexperia
упаковка / блок	—	—	TO-263-3
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	D2PAK
длина	—	—	10.3 mm
время нарастания	—	—	90 ns
время спада	—	—	25 ns
series	—	—	TrenchMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	—	93 W
другие названия товара №	—	—	/T3 PHB66NQ03LT
количество каналов	—	—	1 Channel
base product number	—	—	PHB66NQ03 ->
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	66 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	10.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	25 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	20 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	25 ns
типичное время задержки при включении	—	—	15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	66A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	25V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	10V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	12nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	860pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	93W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	10.5mOhm @ 25A, 10V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	2V @ 1mA