Сравнение

IXTY2N65X2
Цена 650
Информация о производителе
Основные
вес, г 2.3
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 70
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-252-3
серия X2-Class
время нарастания 19 ns
время спада 14 ns
коммерческое обозначение HiPerFET
pd - рассеивание мощности 55 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 2 A
qg - заряд затвора 4.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 1.1 S
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 20 ns
типичное время задержки при включении 15 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль