Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IXTT16P60P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -600В, -16А, 460Вт, TO268
Цена 0 0 0 0 2 790
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 30
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated IXYS
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-268-3
серия AP7384 IXTT16P60
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
вес, г 4
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-268
длина 14 mm
время нарастания 25 ns
время спада 38 ns
california prop 65 Warning Information
коммерческое обозначение PolarP
series PolarPв„ў ->
pd - рассеивание мощности 460 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 16 A
qg - заряд затвора 92 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 720 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 11 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 60 ns
типичное время задержки при включении 29 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 16A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 600V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 92nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 5120pF @ 25V
power dissipation (max) 460W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 720mOhm @ 500mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 4.5V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль