Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	IXFX100N65X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 100А, 1040Вт, PLUS247™, 200нс
Цена	3 740 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	650V Ultra Junction X2
время нарастания	24 ns
время спада	7 ns
коммерческое обозначение	HiPerFET
pd - рассеивание мощности	1.04 kW
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	100 A
qg - заряд затвора	180 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	30 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	40 S
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	83 ns
типичное время задержки при включении	59 ns