Сравнение

IXFP26N30X3, Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 300В, 26А, 170Вт, TO220AB, 105с
Цена 0 720
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 3
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия HiPerFET
время нарастания 25 ns
время спада 19 ns
коммерческое обозначение HiPerFET
pd - рассеивание мощности 170 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 26 A
qg - заряд затвора 22 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 66 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 300 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 14 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 80 ns
типичное время задержки при включении 23 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль