Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	IXFP20N85X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 20А, 540Вт, TO220-3, 190нс
Цена	130 ₽	1 440 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
артикул	NCE3050-TO220	—
вес, г	2	3
Вес и габариты	—	—
package / case	—	TO-220-3
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	50
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	IXYS
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-220-3
время нарастания	—	28 ns
время спада	—	20 ns
коммерческое обозначение	—	HiPerFET
minimum operating temperature	—	-55 C
factory pack quantity	—	50
manufacturer	—	IXYS
maximum operating temperature	—	+150 C
mounting style	—	Through Hole
packaging	—	Tube
product category	—	MOSFET
product type	—	MOSFET
series	—	X-Class
subcategory	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	540 W
количество каналов	—	1 Channel
configuration	—	Single
fall time	—	20 ns
rise time	—	28 ns
number of channels	—	1 Channel
tradename	—	HiPerFET
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	Si
pd - power dissipation	—	540 W
id - непрерывный ток утечки	—	20 A
qg - заряд затвора	—	63 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	330 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	850 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	3.5 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	6 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	44 ns
типичное время задержки при включении	—	20 ns
channel mode	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	330 mOhms
transistor polarity	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	850 V
vgs - gate-source voltage	—	30 V
id - continuous drain current	—	20 A
typical turn-on delay time	—	20 ns
typical turn-off delay time	—	44 ns
forward transconductance - min	—	6 S
qg - gate charge	—	63 nC
transistor type	—	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	3.5 V