Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IXFK102N30P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 102А, 700Вт, TO264
Цена 0 0 0 0 0 0 0 0 3 500
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 10
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000 2500 25
input voltage, max: 25 V 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated IXYS
maximum operating temperature: +125 C +125 C +125 C +150 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C -40 C -55 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole SMD/SMT Through Hole
number of outputs: 1 Output 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators MOSFET
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators MOSFET
series: AS7805 AS7805 AS7805 IXFK102N30
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs MOSFETs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube Reel, Cut Tape, MouseReel Tube
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3 TO-252-2
number of outputs 1 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 C -40 °C -55 C
maximum operating temperature 125В°C +125 C +125 °C +150 C
output type Fixed Fixed Fixed
output voltage 5V 3.3 V 5 V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5uA 2.5µA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3
серия AP7384
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
package / case TO-264-3
type PolarHT HiPerFET Power MOSFET
factory pack quantity 25
manufacturer IXYS
mounting style Through Hole
packaging Tube
product category MOSFET
product type MOSFET
series IXFK102N30
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 30 ns
rise time 28 ns
type: PolarHT HiPerFET Power MOSFET
number of channels 1 Channel
package/case: TO-264-3
tradename: HiPerFET
tradename HiPerFET
pd - power dissipation: 700 W
technology Si
number of channels: 1 Channel
pd - power dissipation 700 W
technology: Si
configuration: Single
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 33 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 300 V
vgs - gate-source voltage 20 V
id - continuous drain current 102 A
typical turn-on delay time 30 ns
typical turn-off delay time 130 ns
forward transconductance - min 45 S
qg - gate charge 224 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 5 V
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 102 A
qg - gate charge: 224 nC
rds on - drain-source resistance: 33 mOhms
transistor polarity: N-Channel
transistor type: 1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage: 300 V
vgs - gate-source voltage: -20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 5 V
typical turn-off delay time: 130 ns
typical turn-on delay time: 30 ns
forward transconductance - min: 45 S
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль