Сравнение

IXFA7N80P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO263, 250нс
Цена 0 660
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2.5
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-263-3
серия IXFA7N80P
длина 10.41 mm
время нарастания 32 ns
время спада 24 ns
коммерческое обозначение HiPerFET
pd - рассеивание мощности 200 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 7 A
qg - заряд затвора 32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.4 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 55 ns
типичное время задержки при включении 28 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль