Сравнение

AP7384-70V-A IRFR320PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 2А, 42Вт, DPAK
Цена 0 0 240
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка Ammo Pack Tube
упаковка / блок TO-92-3 TO-252-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 0.33
серия IRFR/U
время нарастания 14 ns
время спада 13 ns
pd - рассеивание мощности 42 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3.1 A
qg - заряд затвора 20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 1.7 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 30 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
rds on - drain-source resistance 1.8О© @ 1.9A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 400V
vgs - gate-source voltage 4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 3.1A
power dissipation-max (ta=25в°c) 2.5W
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль