Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	IXTP62N15P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 150В, 62А, 350Вт, TО220
Цена	0 ₽	0 ₽	840 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Through Hole
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
Производитель	—	—	IXYS
вес, г	—	—	2.03
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-220-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	—	Through Hole
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+175 °C
минимальная рабочая температура	—	—	-55 °C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	50
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	IXYS
упаковка	—	—	Tube
упаковка / блок	—	—	TO-220-3
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
серия	—	—	HiperFET, Polar
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	TO-220AB
длина	—	—	10.66мм
время нарастания	—	—	38 ns
время спада	—	—	35 ns
california prop 65	—	—	Warning Information
тип корпуса	—	—	TO-220
тип монтажа	—	—	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	—	—	3
размеры	—	—	10.66 x 4.83 x 9.15мм
series	—	—	PolarHTв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	—	350 W
количество каналов	—	—	1 Channel
технология	—	—	Si
количество элементов на ис	—	—	1
максимальное рассеяние мощности	—	—	350 Вт
конфигурация	—	—	Single
тип канала	—	—	N
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration	—	—	Одинарный
id - непрерывный ток утечки	—	—	62 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	40 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	150 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	20 V
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	76 нс
типичное время задержки при включении	—	—	27 ns
максимальное сопротивление сток-исток	—	—	40 мΩ
максимальное напряжение затвор-исток	—	—	-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage	—	—	5.5V
максимальное напряжение сток-исток	—	—	150 В
типичный заряд затвора при vgs	—	—	70 нКл при 10 В
номер канала	—	—	Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	62A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	150V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	10V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	70nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	2250pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	350W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	40mOhm @ 31A, 10V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	5.5V @ 250ВµA
максимальный непрерывный ток стока	—	—	62 А
материал транзистора	—	—	Кремний
типичное время задержки включения	—	—	27 нс
категория	—	—	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	—	—	2250 пФ при 25 В