Сравнение

IXFH69N30P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 69А, 500Вт, TO247-3, 100нс
Цена 0 2 430
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6
тип корпуса TO-247
тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
число контактов 3
length 16.26мм
minimum operating temperature -55 °C
maximum operating temperature +150 °C
series HiperFET, Polar
height 21.46мм
количество элементов на ис 1
тип канала N
maximum drain source voltage 300 В
maximum gate source voltage -20 В, +20 В
transistor material Кремний
конфигурация транзистора Одинарный
maximum gate threshold voltage 5V
maximum drain source resistance 49 мΩ
типичный заряд затвора при vgs 156 нКл при 10 В
channel mode Поднятие
максимальный непрерывный ток стока 69 A
maximum power dissipation 500 Вт
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль