Сравнение

FQP32N20C, Транзистор полевой, МОП, n-канальный, 200В, 17,8А, 156Вт, TO220,
Цена 360
Информация о производителе
Основные
вес, г 2.05
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия FQP32N20C
длина 10.67 mm
время нарастания 270 ns
время спада 210 ns
линейка продукции QFET
коммерческое обозначение QFET
количество выводов 3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности 156 W
другие названия товара № FQP32N20C_NL
количество каналов 1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 156Вт
power dissipation 156Вт
напряжение истока-стока vds 200В
id - непрерывный ток утечки 28 A
qg - заряд затвора 110 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 82 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 20 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 245 ns
типичное время задержки при включении 25 ns
стиль корпуса транзистора TO-220
непрерывный ток стока 28А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.068Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистора Through Hole
drain source on state resistance 0.068Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль