Сравнение

FQAF16N50, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,15А, 110Вт, TO3PF
Цена 0 980
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 5.68
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 360
тип продукта MOSFET
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка Tube
упаковка / блок TO-3PF-3
серия FQAF16N50
длина 15.7 mm
время нарастания 180 ns
время спада 100 ns
коммерческое обозначение QFET
pd - рассеивание мощности 110 W
другие названия товара № FQAF16N50_NL
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 11.3 A
qg - заряд затвора 75 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 11 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 130 ns
типичное время задержки при включении 45 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль