Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET®
Цена	0 ₽	0 ₽	690 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	450
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	—	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Ammo Pack	—	Tube
упаковка / блок	TO-92-3	—	TO-3PN-3
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	5.14
серия	—	—	FQA70N10
длина	—	—	16.2 mm
время нарастания	—	—	470 ns
время спада	—	—	160 ns
коммерческое обозначение	—	—	QFET
pd - рассеивание мощности	—	—	214 W
другие названия товара №	—	—	FQA70N10_NL
количество каналов	—	—	1 Channel
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	—	70 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	25 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	25 V
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	48 S
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	130 ns
типичное время задержки при включении	—	—	30 ns