Сравнение

Цена 23
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance 2.2О© @ 100mA,4.5V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 20V
vgs - gate-source voltage 1V @ 1mA
continuous drain current (id) @ 25в°c 250mA
power dissipation-max (ta=25в°c) 150mW
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль