Сравнение

IXFH22N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 22А, 350Вт, TO247-3
Цена 0 1 200
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия IXFH22N50
длина 16.26 mm
время нарастания 25 ns
время спада 21 ns
коммерческое обозначение HyperFET
pd - рассеивание мощности 350 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 22 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 20 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 72 ns
типичное время задержки при включении 22 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль