Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	IXFP12N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220-3
Цена	0 ₽	720 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
Производитель	—	IXYS
вес, г	—	3
максимальная рабочая температура	—	+150 °C
минимальная рабочая температура	—	-55 °C
серия	—	HiperFET, Polar
длина	—	10.66мм
тип корпуса	—	TO-220
тип монтажа	—	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	—	3
размеры	—	10.66 x 4.83 x 9.15мм
количество элементов на ис	—	1
максимальное рассеяние мощности	—	200 W
тип канала	—	N
transistor configuration	—	Одинарный
типичное время задержки выключения	—	65 нс
максимальное сопротивление сток-исток	—	500 мОм
максимальное напряжение затвор-исток	—	-30 V, +30 V
maximum gate threshold voltage	—	5.5V
максимальное напряжение сток-исток	—	500 V
типичный заряд затвора при vgs	—	29 nC @ 10 V
номер канала	—	Поднятие
максимальный непрерывный ток стока	—	12 A
материал транзистора	—	Кремний
типичное время задержки включения	—	22 ns
категория	—	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	—	1830 пФ при 25 В