Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	BSS806NEH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,3А, 0,5Вт, SOT23
Цена	0 ₽	0 ₽	38 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вес, г	—	—	0.02
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	3000
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	Infineon Technologies
упаковка / блок	—	—	SOT-23-3
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.21.0095
серия	—	—	BSS806
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	SOT-23-3
длина	—	—	2.9 mm
время нарастания	—	—	9.9 ns
время спада	—	—	3.7 ns
series	—	—	Automotive, AEC-Q101, HEXFETВ® ->
pd - рассеивание мощности	—	—	500 mW
другие названия товара №	—	—	BSS806NE H6327 SP000999336
количество каналов	—	—	1 Channel
base product number	—	—	BSS806 ->
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	2.3 A
qg - заряд затвора	—	—	1.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	41 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	550 mV
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	9 S
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	12 ns
типичное время задержки при включении	—	—	7.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	2.3A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	20V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	1.8V, 2.5V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	1.7nC @ 2.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	529pF @ 10V
power dissipation (max)	—	—	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	57mOhm @ 2.3A, 2.5V
vgs (max)	—	—	В±8V
vgs(th) (max) @ id	—	—	0.75V @ 11ВµA