Сравнение

AS7805ADTR-G1 AP7384-33Y-13 NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] BSS119NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,19А, 0,5Вт, SOT23 KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP] VFD015M21A (1,5kW 220V) Преобразователь частоты
Цена 0 0 0 130 41 120 11 150
Информация о производителе
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Surface Mount
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
артикул NCE3050-TO220 VFD015M21A
вес, г 2 0.06 1.95
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Infineon Technologies
упаковка / блок SOT-223-3
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
серия BSS119
reach status REACH Unaffected
supplier device package SOT-23-3
длина 2.9 mm
время нарастания 3.3 ns
время спада 18.8 ns
packaging Tape and Reel
product category Small Signal
series OptiMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности 500 mW
другие названия товара № BSS119N H6327 SP000870644
количество каналов 1 Channel
automotive Yes
eu rohs Compliant
lead shape Gull-wing
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Surface Mount
part status Active
pcb changed 3
ppap Unknown
standard package name SOT-23
supplier package SOT-23
base product number BSS119 ->
eccn (us) EAR99
maximum power dissipation (mw) 500
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 190 mA
qg - заряд затвора 0.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.406 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 350 mS
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 7 ns
типичное время задержки при включении 2.7 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 0.19
maximum drain source resistance (mohm) 6000 10V
maximum drain source voltage (v) 100
maximum gate source leakage current (na) 10
maximum gate source voltage (v) ±20
maximum gate threshold voltage (v) 2.3
maximum idss (ua) 0.01
typical fall time (ns) 18.8
typical gate charge @ 10v (nc) 0.6
typical gate charge @ vgs (nc) 0.6 10V
typical input capacitance @ vds (pf) 15.7 25V
typical rise time (ns) 3.3
typical turn-off delay time (ns) 7
typical turn-on delay time (ns) 2.7
current - continuous drain (id) @ 25в°c 190mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 100V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 0.6nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 20.9pF @ 25V
power dissipation (max) 500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 6Ohm @ 190mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2.3V @ 13ВµA
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль