Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AP7384-70V-A BSH108.215, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23
Цена 0 0 0 0 58
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 0.02
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
output voltage 5V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C +150 °C
минимальная рабочая температура 40 C -65 °C
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
Производитель Nexperia
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Surface Mount
operating temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-236AB
длина 3мм
тип корпуса SOT-23 (TO-236AB)
тип монтажа Поверхностный монтаж
число контактов 3
размеры 3 x 1.4 x 1мм
series TrenchMOSв„ў ->
base product number BSH108 ->
количество элементов на ис 1
максимальное рассеяние мощности 830 мВт
тип канала N
technology MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration Одинарный
типичное время задержки выключения 15 нс
максимальное сопротивление сток-исток 120 мОм
максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage 2V
максимальное напряжение сток-исток 30 V
типичный заряд затвора при vgs 6.4 nC @ 10 V
номер канала Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c 1.9A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 30V
drive voltage (max rds on, min rds on) 5V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 10nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 190pF @ 10V
power dissipation (max) 830mW (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 120mOhm @ 1A, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 1mA
максимальный непрерывный ток стока 1.9 A
материал транзистора SI
типичное время задержки включения 3 нс
minimum gate threshold voltage 1V
категория Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds 190 пФ при 10 В
rds on - drain-source resistance 120mО© @ 1A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30V
vgs - gate-source voltage 2V @ 1mA
continuous drain current (id) @ 25в°c 1.9A(Tsp)
power dissipation-max (ta=25в°c) 830mW(Tsp)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль