Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	BSH108.215, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23
Цена	0 ₽	58 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Surface Mount
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
Производитель	—	Nexperia
вес, г	—	0.02
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	-65В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
максимальная рабочая температура	—	+150 °C
минимальная рабочая температура	—	-65 °C
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.21.0095
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	TO-236AB
длина	—	3мм
тип корпуса	—	SOT-23 (TO-236AB)
тип монтажа	—	Поверхностный монтаж
число контактов	—	3
размеры	—	3 x 1.4 x 1мм
series	—	TrenchMOSв„ў ->
base product number	—	BSH108 ->
количество элементов на ис	—	1
максимальное рассеяние мощности	—	830 мВт
тип канала	—	N
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration	—	Одинарный
типичное время задержки выключения	—	15 нс
максимальное сопротивление сток-исток	—	120 мОм
максимальное напряжение затвор-исток	—	-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage	—	2V
максимальное напряжение сток-исток	—	30 V
типичный заряд затвора при vgs	—	6.4 nC @ 10 V
номер канала	—	Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	1.9A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	5V, 10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	10nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	190pF @ 10V
power dissipation (max)	—	830mW (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	120mOhm @ 1A, 10V
vgs (max)	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	2V @ 1mA
максимальный непрерывный ток стока	—	1.9 A
материал транзистора	—	SI
типичное время задержки включения	—	3 нс
minimum gate threshold voltage	—	1V
категория	—	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	—	190 пФ при 10 В
rds on - drain-source resistance	—	120mО© @ 1A,10V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	30V
vgs - gate-source voltage	—	2V @ 1mA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	1.9A(Tsp)
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	830mW(Tsp)