Сравнение

FDD86102LZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 35А, 54Вт, DPAK, PowerTrench®
Цена 0 330
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.41
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок TO-252-3
серия FDD86102LZ
длина 6.73 mm
коммерческое обозначение PowerTrench
pd - рассеивание мощности 54 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 42 A
qg - заряд затвора 26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 31 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 31 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль