Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IRF9610PBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -1А, 20Вт, TO220AB
Цена 0 0 0 0 0 0 240
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 2
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3
number of outputs 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 °C
output type Fixed Fixed
output voltage 5V 5 V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5µA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
package type TO-92
width 3.8mm
pin count 3 3
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 50
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-220-3
серия AP7384 IRF
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-220AB
длина 10.41 mm
время нарастания 15 ns
время спада 8 ns
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 20 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
standard package name TO-220
supplier package TO-220AB
base product number IRF9610 ->
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 2000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
hts 8541.29.00.95
package height 9.01(Max)
package length 10.41(Max)
package width 4.7(Max)
process technology HEXFET
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type P
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 1.8 A
qg - заряд затвора 11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 0.9 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 10 ns
типичное время задержки при включении 8 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 1.8
maximum drain source resistance (mohm) 3000@10V
maximum drain source voltage (v) 200
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 8
typical gate charge @ 10v (nc) 11(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 11(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf) 170@25V
typical rise time (ns) 15
typical turn-off delay time (ns) 10
typical turn-on delay time (ns) 8
current - continuous drain (id) @ 25в°c 1.8A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 200V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 11nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 170pF @ 25V
power dissipation (max) 20W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 3Ohm @ 900mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
military No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль