Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AP7384-70V-A IRF9610PBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -1А, 20Вт, TO220AB
Цена 0 0 0 240
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 2
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 50
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка Ammo Pack Tube
упаковка / блок TO-92-3 TO-220-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия IRF
supplier device package TO-220AB
длина 10.41 mm
время нарастания 15 ns
время спада 8 ns
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 20 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 3
standard package name TO-220
supplier package TO-220AB
base product number IRF9610 ->
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 2000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
hts 8541.29.00.95
package height 9.01(Max)
package length 10.41(Max)
package width 4.7(Max)
process technology HEXFET
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type P
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 1.8 A
qg - заряд затвора 11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 0.9 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 10 ns
типичное время задержки при включении 8 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 1.8
maximum drain source resistance (mohm) 3000@10V
maximum drain source voltage (v) 200
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 8
typical gate charge @ 10v (nc) 11(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 11(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf) 170@25V
typical rise time (ns) 15
typical turn-off delay time (ns) 10
typical turn-on delay time (ns) 8
current - continuous drain (id) @ 25в°c 1.8A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 200V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 11nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 170pF @ 25V
power dissipation (max) 20W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 3Ohm @ 900mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
military No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль