Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 IXTQ22N60P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 600В, 22А, 400Вт, TО3Р
Цена 0 0 0 0 1 250
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 6
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-3P-3, SC-65-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-3P-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия IXTQ22N60
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-3P
длина 15.8 mm
время нарастания 20 ns
время спада 23 ns
california prop 65 Warning Information
series PolarHVв„ў ->
pd - рассеивание мощности 400 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 22 A
qg - заряд затвора 62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 350 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 21 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 60 ns
типичное время задержки при включении 20 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 22A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 600V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 62nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 3600pF @ 25V
power dissipation (max) 400W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 350mOhm @ 11A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 5.5V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль