Сравнение

IXTH1N170DHV, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,7кВ, 1А, 290Вт, TO247HV, 30нс
Цена 0 3 530
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка / блок TO-247-3
время нарастания 38 ns
время спада 216 ns
pd - рассеивание мощности 290 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 1 A
qg - заряд затвора 47 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 16 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 1.7 kV
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
канальный режим Depletion
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 130 ns
типичное время задержки при включении 46 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль