Сравнение

AP7384-70SA-7 C3M0120090D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 23А, 97Вт, TO247-3, SiC
Цена 0 2 150
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 6.25
package / case TO-247-3
type Silicon Carbide MOSFET
minimum operating temperature -55 C
factory pack quantity 30
manufacturer Cree, Inc.
maximum operating temperature +150 C
mounting style Through Hole
packaging Tube
product category MOSFET
product type MOSFET
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 8 ns
rise time 10 ns
number of channels 1 Channel
product Power MOSFET
technology SiC
pd - power dissipation 97 W
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 120 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 900 V
id - continuous drain current 23 A
typical turn-on delay time 27 ns
typical turn-off delay time 25 ns
qg - gate charge 17.3 nC
vgs th - gate-source threshold voltage 2.1 V
кол-во в упаковке 1
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль