Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	C3M0120090D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 23А, 97Вт, TO247-3, SiC
Цена	0 ₽	2 150 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	—
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	-55 C
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	+150 C
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	6.25
package / case	—	TO-247-3
type	—	Silicon Carbide MOSFET
factory pack quantity	—	30
manufacturer	—	Cree, Inc.
mounting style	—	Through Hole
packaging	—	Tube
product category	—	MOSFET
product type	—	MOSFET
subcategory	—	MOSFETs
configuration	—	Single
fall time	—	8 ns
rise time	—	10 ns
number of channels	—	1 Channel
product	—	Power MOSFET
technology	—	SiC
pd - power dissipation	—	97 W
channel mode	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	120 mOhms
transistor polarity	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	900 V
id - continuous drain current	—	23 A
typical turn-on delay time	—	27 ns
typical turn-off delay time	—	25 ns
qg - gate charge	—	17.3 nC
vgs th - gate-source threshold voltage	—	2.1 V
кол-во в упаковке	—	1