Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	2N7002BKW.115, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 215мА, 330мВт, SOT323
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	28 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	—
серия	AP7384	—	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
вес, г	—	—	—	0.01
package / case	—	—	—	SOT-323-3
type	—	—	—	Enhancement
minimum operating temperature	—	—	—	-55 C
factory pack quantity	—	—	—	3000
manufacturer	—	—	—	Nexperia
maximum operating temperature	—	—	—	+150 C
mounting style	—	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	MOSFET
subcategory	—	—	—	MOSFETs
configuration	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	7 ns
rise time	—	—	—	6 ns
number of channels	—	—	—	1 Channel
product	—	—	—	MOSFET Small Signal
technology	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	330 mW(1/3 W)
qualification	—	—	—	AEC-Q101
channel mode	—	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	—	1.6 Ohms
transistor polarity	—	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	60 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	10 V
id - continuous drain current	—	—	—	310 mA
typical turn-on delay time	—	—	—	5 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	12 ns
qg - gate charge	—	—	—	0.5 nC
transistor type	—	—	—	1 N-Channel Trench MOSFET
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	1.1 V