Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805AT-E1	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	BSP122.115, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,55А, 1,5Вт, SOT223
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	220 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—
number of outputs	1	1	—	—	—
minimum operating temperature	-40В°C	-40 °C	—	—	-55 °C
maximum operating temperature	125В°C	+125 °C	—	—	+150 °C
output type	Fixed	Fixed	—	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000	—	—	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—	—	—
load regulation:	20 mV	—	—	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—	—	—
mounting style:	Through Hole	—	—	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—	—	—
series:	AS7805	—	—	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—	—	—
packaging:	Tube	—	—	—	—
output voltage	5V	5 V	—	—	—
output current	1A	—	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—
output current:	1 A	—	—	—	—
output voltage:	5 V	—	—	—	—
output type:	Fixed	—	—	—	—
output configuration	Positive	—	—	—	—
input voltage max	25V	—	—	—	—
quiescent current	6mA	2.5µA	—	—	—
quiescent current:	6 mA	—	—	—	—
polarity:	Positive	—	—	—	—
voltage dropout (max)	2V @ 1A(typ)	—	—	—	—
psrr / ripple rejection - typ	70dB(120Hz)	—	—	—	—
line regulation:	25 mV	—	—	—	—
psrr / ripple rejection - typ:	70 dB	—	—	—	—
package / case:	TO-220-3	—	—	—	—
line regulation	—	0.05%/V	—	—	—
load regulation	—	0.5 V	—	—	—
mounting type	—	Through Hole	—	—	Поверхностный монтаж
package type	—	TO-92	—	—	SOT-223 (SC-73)
width	—	3.8mm	—	—	3.7мм
pin count	—	3	—	—	4
minimum input voltage	—	3.3 V	—	—	—
polarity	—	Positive	—	—	—
maximum input voltage	—	40 V	—	—	—
maximum output current	—	50mA	—	—	—
regulator type	—	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	—	SMD/SMT	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	—	—	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	—	—	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	—	+ 125 C	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	40 C	40 C	55 C
подкатегория	—	—	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	—	—	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки	—	—	3000	2000	1000
тип продукта	—	—	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	—	—	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Nexperia
упаковка / блок	—	—	SOT-23-3	TO-92-3	SOT-223-3
серия	—	—	AP7384	—	—
выходной ток	—	—	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	—	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	—	—	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	—	—	7 V	7 V	—
полярность	—	—	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	—	40 V	40 V	—
входное напряжение мин.	—	—	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	—	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	—	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	—	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	—	—	Ammo Pack	—
вес, г	—	—	—	—	1
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	—	—	TO-261-4, TO-261AA
rohs status	—	—	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	—	8541.29.0095
reach status	—	—	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	—	—	SOT-223
длина	—	—	—	—	6.7 mm
length	—	—	—	—	6.7мм
pd - рассеивание мощности	—	—	—	—	1.5 W
другие названия товара №	—	—	—	—	BSP122 T/R
количество каналов	—	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	—	BSP122 ->
технология	—	—	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	—	—	1
конфигурация	—	—	—	—	Single Dual Drain
channel type	—	—	—	—	N
technology	—	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration	—	—	—	—	Одинарный
maximum drain source voltage	—	—	—	—	200 V
maximum gate source voltage	—	—	—	—	-20 В, +20 В
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	—	550 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	—	1.7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	—	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	—	20 V
канальный режим	—	—	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	—	1 N-Channel
maximum continuous drain current	—	—	—	—	550 мА
transistor material	—	—	—	—	Кремний
maximum gate threshold voltage	—	—	—	—	2V
maximum drain source resistance	—	—	—	—	2.5 Ω
channel mode	—	—	—	—	Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	—	550mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	—	200V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	—	2.4V, 10V
fet type	—	—	—	—	N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	—	100pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	—	—	1.5W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	—	2.5Ohm @ 750mA, 10V
vgs (max)	—	—	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	—	2V @ 1mA
minimum gate threshold voltage	—	—	—	—	0.4V
rds on - drain-source resistance	—	—	—	—	2.5О© @ 750mA,10V
transistor polarity	—	—	—	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	—	200V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	—	2V @ 1mA
maximum power dissipation	—	—	—	—	1,5 Вт
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	—	—	—	550mA
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	—	—	—	1.5W